Circuito Integrado Interruptor Cuádruple Bilateral, DIP-14.

Características Principales Cuatro interruptores bilaterales integrados en un chip Formato DIP-14 para fácil montaje Alta eficiencia en conmutación de señales Compatibilidad con variados voltajes de operación Bajo consumo de energía en operación Características Eléctricas Resistencia en estado on: 125-Ω típico para operación a 15-V Rango de voltaje: 3V a 18V Temperatura de operación: -55°C a 125°C Corriente de fuga: 10pA típico Impedancia de entrada: 10¹²Ω típico Aplicaciones Conmutación y multiplexión de señales analógicas y digitales Transmisión de señales bidireccionales controladas por lógica digital Implementación de lógica tipo transmisión Conversión analógico-digital y digital-analógico Control de frecuencia, impedancia, fase y ganancia de señales analógicas Especificaciones Encapsulado: DIP-14 Dimensiones: 19.30mm × 6.35mm Resistencia on-state: 125-Ω típico Matched on-state resistance: ±5Ω Frecuencia de respuesta: 40MHz típico Condiciones Operativas Voltaje de suministro: 3V a 18V Temperatura operativa: -55°C a 125°C Corriente quiescente: 0.01-30µA Distorsión: Crosstalk: -50dB típico Configuración de Pines 14 pines: 4 interruptores bilaterales Alimentación: VDD (pin 14) y VSS (pin 7) Control: 4 pines de control independientes Señales: 8 pines para señales I/O Características Detalladas Baja distorsión en señales analógicas Alta relación señal de salida/voltaje de apagado Bajo ruido y crosstalk entre canales Conmutación bidireccional de señales Bajo consumo de energía Alta inmunidad al ruido Operación estable en rango amplio de temperatura Ventajas Técnicas Baja resistencia en estado on Resistencia constante en todo el rango de señal Alta impedancia de entrada Bajo consumo de energía Compatibilidad con CMOS Diseño compacto para PCB Fácil integración en circuitos existentes Información de Prueba Prueba de corriente quiescente: 100% probado a 20-V Clasificaciones paramétricas: 5-V, 10-V y 15-V Temperatura de prueba: -55°C a 125°C Prueba de distorsión: 0.4% típico a 1kHz Condiciones de Almacenamiento Temperatura de almacenamiento: -65°C a 150°C Temperatura máxima de unión: 175°C (paquete cerámico), 150°C (paquete plástico) Resistencia térmica: 53.7°C/W (PDIP), 89.5°C/W (SOIC)